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BIOS内存设置全面优化(二)
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VIA芯片组主板 VIA芯片组主板一般比Intel芯片组主板内存设置选项要丰富一些,在这类主板BIOS的Advanced Chipset Features(高级芯片组特性)设置页面中一般包含以下内存设置项(像DRAM Timing By SPD、SDRAM Cycle Length等参数的意义和设置方法同Intel 815E/815EP芯片组主板,就不再提了): Bank 0/1、2/3、4/5 DRAM Timing(内存速度设定)可选项:Turbo(高速),Fast(快速),Medium(中等),Normal(正常),SDRAM 8/10 ns。该选项用于设定内存的速度,对于SDRAM内存条,设定为SDRAM 8/10 ns即可。 SDRAM Clock(内存时钟频率)可选项:HOST CLK,HCLK+33M(或HCLK-33M)。该参数设置内存的异步运行模式。HOST CLK表示内存运行频率等于系统的外频,HCLK+33M表示内存运行频率等于系统外频再加上33MHz,HCLK-33M表示内存运行频率等于系统外频减去33MHz。如PentiumⅢ 800EB时,BIOS自动使该参数的可选项出现HOST CLK和HCLK-33M,如果使用PC133内存,可以将该参数设为HOST CLK,如果使用PC100内存,则可以将该参数设为HCLK-33M,这样就可使系统配合性能较低的PC100内存使用。内存异步功能使系统对内存的兼容性的提升是比较明显的,也是VIA芯片组一项比较重要的功能。 Bank Interleave(内存Bank交错)可选项:Disabled,2-Bank,4-Bank。 内存交错使SDRAM内存各个面的刷新时钟信与读写时钟信号能够交错出现,这可以实现CPU在刷新一个内存面的同时对另一个内存面进行读写,这样就不必花费专门的时间来对各个内存面进行刷新。而且在CPU即将访问的一串内存地址分别位于不同内存面的情况下,内存面交错使CPU能够实现在向后一个内存面发送地址的同时从前一个内存面接收数据,从而产生一种流水线操作的效果,提高了SDRAM内存的带宽。因此,有人甚至认为启用内存交错对于系统性能的提高比将内存CAS延迟时间从3改成2还要大。 不过,内存交错是一个比较高级的内存设置选项,有一些采用VIA 694X芯片组的主板由于BIOS版本较旧,可能没有该设置项,这时可以升级主板的BIOS。如果在 新版的BIOS中仍未出现该设置项,那就只有通过某些VIA芯片组内存BANK交错开启软件,如WPCREdit和相应的插件(可以从“驱动之家”网站下载)来修改北桥芯片的寄存器,从而打开内存交错模式。 SDRAM Driver Strength(内存访问信号的强度)可选项:Auto,Manual。此选项用于控制内存访问信号的强度。一般情况下可以将该选项设置成Auto,此时芯片组承担内存访问信号强度的控制工作并自动调整内存访问信号的强度以与电脑中安装的内存相适应。如果需要超频或排除电脑故障,则可以将该参数设为Manual,这时就可以手工调整SDRAM Driver Value(内存访问信号强度值)的数值。 SDRAM Driver Value(内存访问信号强度值)可选项:00至FF(十六进制)。该选项决定了内存访问信号强度的数值。要注意的是只有将SDRAM Driver Strength选项设为 Manual时,SDRAM Driver Value的数值才是有效的。SDRAM Driver Value的范围是十六进制的00至FF,其数值越大,则内存访问信号的强度也越大。内存对工作频率是比较敏感的,当工作频率高于内存的标称频率时,将该选项的数值调高,可以提高电脑在超频状态下的稳定性。这种作法尽管没有提高内存的工作电压(有一些超频功能较强的主板可以调整内存的工作电压),但在提高SDRAM Driver Value的数值时仍然要十分慎重,以免造成内存条的损坏。 Fast R-W Turn Around(快速读写转换)可选项: Enabled,Disabled。当CPU先从内存读取数据然后向内存写入数据时,通常存在额外的延迟,该参数可以降低这种读写转换之间的延迟。将该参数设置成Enabled,可以降低内存读写转换延迟,从而使内存从读状态转入写状态的速度更快。然而,如果内存不能实现快速读写转换,则会造成数据丢失和系统不稳定,这时就需要将该参数设置成Disabled。 小编:在BIOS中对内存进行优化设置可能会对电脑运行的稳定性造成不良影响,所以建议内存优化后一定要使用测试软件进行电脑稳定性和速度的测试。如果您对自己内存的性能没有信心,那么 好采取保守设置,毕竟稳定性是 重要的。如果因内存优化而出现电脑经常死机、重启动或程序发生异常错误等情况,只要清除CMOS参数,再次设置成系统默认的数值就可以了。
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