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雪崩光电二极管
★★★★★【文章导读】:雪崩光电二极管具体内容是:碰撞电离过程一般光电二极管的反偏压在几十伏以下,而apd的反偏压一般在几百伏量级,接近于反向击穿电压。当apd在高反偏压下工作,势垒区中的电场很强,电子和空穴在势垒区中作漂移运动时得到很大的动能。它们与势垒…
来源: 日期:2013-10-30 21:37:59 人气:标签:
碰撞电离过程
一般光电二极管的反偏压在几十伏以下,而apd的反偏压一般在几百伏量级,接近于反向击穿电压。 当apd在高反偏压下工作,势垒区中的电场很强,电子和空穴在势垒区中作漂移运动时得到很大的动能。
它们与势垒区中的晶格原子碰撞产生电离,激发产生的二次电子与空穴在电场下得到加速又碰撞产生新的电子-空穴对,如此继续,形成雪崩倍增效应?。
特点:
(1)提高了光电二极管的灵敏度(具有内部增益102~104)。
(2)响应速度特别快,频带带宽可达100ghz,是目前响应速度 快的一种光电二极管。
常见结构:
雪崩光电二极管结构
图(a)在p型硅基片上扩散杂质浓度大的n+层,制成p型n结构;图(b)在n型硅基片上扩散杂质浓度大的p+层,制成n型p结构;图(c)所示为pin型雪崩光电二极管。
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