半导体气敏传感器主要结构类型

　　直热式气敏器件

　　直热式器件管芯体积很小，加热丝直接埋在金属氧化物半导体材料内，兼作一个测量板

　　缺点：

　　热容量小，易受环境气流的影响

　　测量电路与加热电路之间相互干扰，影响其测量参数

　　加热丝在加热与不加热两种情况下产生的膨胀与冷缩，容易造成器件接触不良

　　旁热式气敏器件

　　旁热式气敏器件是把高阻加热丝放置在陶瓷绝缘管内，在管外涂上梳状金电极，再在金电极外涂上气敏半导体材料，就构成了器件

　　克服了直热式结构的缺点，器件的稳定性得到提高

　　薄膜型气敏器件

　　制作采用蒸发或溅射的方法，在处理好的石英基片上形成一薄层金属氧化物薄膜（如sno2、zno等），再引出电极。实验证明：sno2和zno薄膜的气敏特性较好

　　优点：灵敏度高、响应迅速、机械强度高、互换性好、产量高、成本低等

　　厚膜型气敏器件

　　厚膜型气敏器件是将sno2和zno等材料与3％～15％重量的硅凝胶混合制成能印刷的厚膜胶，把厚膜胶用丝网印制到装有铂电极的氧化铝基片上，在400～800℃高温下烧结1～2小时制成

　　优点：一致性好，机械强度高，适于批量生产

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