增强型MOSFET的结构与原理

　　
　　在 底层的金属衬底上引出另外一个电极b，称为背面栅极，它主要用于在ic中生成“隔离岛”。
　　
　　mosfet是电压控制型晶体管，栅极虽然与其他部分绝缘，但可以通过电场来影响载流子的运行，如下图所示。
　　
　　若ugs=0v，则mosfet等效为一个共阳极二极管，b是公共阳极，s、d分别为两个阴极。此时，不论s、d两极间加哪种极性的电压，都不会有导通电流产生，这时可以认为此mosfet是截止的。当将背面栅板b与源极s短接，同时给g、s之间加上正电压时，ugs电压就加到衬底与栅极之间，就会产生一个与p+衬底表面垂直的电场。
　　
　　当ugs超过某一临界值之后，垂直电场强度达到一定值，较多的电子就会被吸引到p型硅的表面，在两个n+岛间形成导电的n沟道。这样s、d、n沟道形成一体，它们仅仅与下面的p+型硅形成pn结。当漏极、源极之间施加正向电压时，此pn结反向截止。漏区、源区、n沟道区下面存在一层耗尽区，把它们与背栅衬底隔离开。此时，若在漏极、源极之间加上正向电压，就会有不经过衬底的电流由源区经n沟道到达漏区，形成漏极电流id。习惯上将刚刚开始出现n沟道时的ugs称为开启电压，用ut表示。

　　n沟道增强型mosfet的转移特性曲线如下图所示，当o<ugs<u1时，id=0，尽管此时ugs>0，但无栅极电流；当ugs>u,时，导电沟道建立，id>0，外加的正栅极电压越大，沟道越宽，沟道电阻越小，id越大，mos管处于导通状态。

　　
　　n沟道mosfet的输出特性曲线如下图所示，曲线中同时存在有可变电阻区、恒流区、截止区。在恒流区内，id受控于ugs。
　　
　　上面介绍的是增强型n沟道mosfet的简单工作原理，对于p沟道的增强型mosfet来说，其偏置电压极性相反，控制原理与n沟道相同。

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