场效应管电压驱动的特殊性

　　电场控制漏一源极沟道的宽度控制漏源极电流的，因此呈跨越电极的跨导特性。
　　
　　以目前常用的UHCMOSFET而言，功耗100W以上的场效应管，漏极电流峰值可达20A—30A，而栅极驱动电压一般均在25Vp-p左右。对于普通音响功放而言，前级电压放大器只耍有150倍左右的电压增益，即可将CD等信号源200mV的信号放大到25V以上。但是，MOSFET的栅极是绝缘的，与半导体材料间有较大的电容，从而构成场效应管的输入电容。为了使场效应管放大器的频率特性不下跌，要求前级电压放大器的 后一级输出阻抗越低越好。驱动信号的低阻抗输出，可加快输入电容的充电时间，以使在栅极上能尽快建立驱动电压。MOSFET的功耗越大，此输入电容也越大，因此对MOSFET而言，输出功率的大小，对前级放大增益要求基本不变，只是采用大功率MOSFET输出级时，要求前级输出阻抗更低。如此说来，MOSFET功放组成实际只有三个部分，除MOSFET输出级外，前级由必须增益的放大器组成纯电压放大器，然后由源极输出器（源极跟随器）变换成阻抗驱动MOS输出级，源极跟随骼的高输人阻抗使前级电压放大器几乎无驱动电流。
　　
　　在电流控制双极型晶体管的应用中，逐级电流放大，驱动功率也逐渐增大，使电路结构变得复杂。以音响放大器为例，当输出级采用双极型晶体管时，输出级功率输出是建立在低负载阻抗上之大电流，以致输入阻抗降低，驱动电流增大。为了达到完全的驱动，必须在输出级之前加八多级达林顿连接的驱动电路，逐级提高驱动电流，因而导致多级放大器不仅使电路复杂化，且相位移、失真也增大。如果输出级采用MOSFET管，无论输出管漏极电流有多大，输入阻抗恒为高阻抗，只要有特定的驱动电压即可使漏极电流产生足够的变量，在此过程中输入电路并无驱动电流。这就使得MOSFET输出级的驱动放大器变得十分简单。
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