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MOS FET的频率特性
★★★★★【文章导读】:MOS FET的频率特性具体内容是:半导体的频率特性基本取决于其开关特性、双极型晶体管无论载流子还是空穴,皆存在存储效应,使响应速度变差。FET无此存在效应,更适于高速开关动作。若以增益频宽积表示(h)双极管约为100kHz~10MHz,而FET则可达到100…
来源: 日期:2013-11-5 23:28:38 人气:标签:
半导体的频率特性基本取决于其开关特性、双极型晶体管无论载流子还是空穴,皆存在存储效应,使响应速度变差。FET无此存在效应,更适于高速开关动作。若以增益频宽积表示(h)双极管约为100kHz~10MHz,而FET则可达到100MHz以上。
FET的频宽可以gm/2 πCi表示(Ci为漏源极输人电容),如日本的2SK146,gm=40ms,Ci=75pF,则其频宽积约为85MHz。
可见输入电容对放大器频响的重要性,小功率双栅MOS FET,由于氧化层极薄,故工作于UHF频段也极优秀。对UHF MOSFET而言,Ci常达1000pF以上,功率越大Ci也越大,IDS达到30A的UHC MOS Ci值接近O,01μF,即使无载流子的存储效应,大容量的输入电容也会使MOS关断延迟,在模拟放大中引起波形失真。为此在音频范围应用必须采用输出阻抗极低的驱动电路,以使信号输入时输入电容能快速充电完毕,驱动信号迅速达到其峰值。如果信号源内阻过高,将产生驱动电压的延迟而引起失真。信号源内阻很低时充电速度加快,但初始充电电流极大,造成栅极电压下凹。因此还需在信号源和栅极间接八适当小电阻限制过大充电初始电流。低的信号源内阻可提供Ci初始充电电流的能力。
在栅极加入小电阻则对初始充电峰流进行适当限制,以避免输入信号的失真。此为UHF FET放大器扩展频响,减小波形畸变的关键。
上述特点是功率型MOS FET用于功放输出级必须考虑的重点。
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