二极管+IGBT：新架构能的应用

    由于现在经济的快速发展，能源的消耗也是急剧增加，我们如何去减少能源的损耗做到节能减排?这就要求我们的产品有一个更高的效率，更低的成本。而对于一个高性能的系统来说，半导体器件的选择尤为重要。今天我给大家介绍的就是英飞凌一个新的逆向导通型igbt。我们知道传统的igbt，二极管和igbt是分开的两个晶圆，而这一款新的逆向导通型igbt是将二极管和igbt集成在同一个晶圆上面，它们有相同的电流等级。新的逆向导通型igbt引用了哪些技术呢?首先的话，它引入了场终止技术，也就是它大大的减小了晶圆的厚度，使它有一个非常低的饱和导通压降，从而提高了整体的效率。第二点是引入了一个沟道栅技术，进一步减少了饱和导通压降，因为饱和导通压降是由载流子的浓度来决定，而引入沟道栅相当于为载流子引入了一个通道，使它的饱和导通压将进一步减小，从而减小导通损耗。第三是引用了一个逆向导通型二极管，将这个二极管集成在igbt里面可以大大减少它的体积。

    目前这种逆向导通型igbt有两种封装形势，一种是ipak封装，另外是dpak封装，电流有4安、6安、10安和15安四个等级。它主要的特点就是有非常低的价格，还有节省空间。半导体器件它的成本主要取决于两个方面，一个是它的晶圆，减少晶圆的数量，从两个晶圆减少到一个晶圆可以减少成本。另外的话，这种t0220的封装还有这种d2park封装可以减少成ipark封装和dpark封装，同时减少封装的成本，减少了封装的话同样会减少它的空间，但是减少了晶圆的话会不会对它的性能造成影响?首先我们来看一下，同样它有一个非常低的饱和导通压降，对它的性能丝毫没有任何影响。另外可以通过改变门级驱动电阻，在宽范围调节它的开通和关断的时间，有一个非常好的emi效果，非常平滑的开关波形，5us的短路保护能力， 高结温可以达到175度。这个是这种逆向导通型igbt的主要参数，这个是它的击穿电压，这个是它的电流，这是175度饱和导通压降，这是开关的能力，这是短路保护的能力，这是它的门级驱动电压，基本上对于一个200w的产品可以选择4安的igbt，600w的话可以选择一个6安的，1000w可以选择一个10安的，1500w的可以选择15w的产品。

    从功率密度来说如果选用这种小封装的ipark产品去取代to220封装的话，面积可以减少75%，高度可以减少49%。而用这种dpark封装产品的话，如果去取代d2park这种产品，它的面积可以减少63%，高度同样可以减少到49%。

    这是一个实际的pcp板上的igbt的图，我们看到如果用d2park的话，它两颗的面积大概在2.5厘米，而如果使用dpark封装的话可以减少到1.5厘米左右，同时它跟igbt模块来相比的话可以节省0.5个美金的成本，所以对于一些消费类市场低成本的产品这个相当重要的。

    总结一下igbt的重要特点，一个是成本，因为它采用的是一个晶圆，所以它的成本有很大的优势;另外因为减少了它的封装，可以给pcb留下更多的空间，进一步提高产品的功率密度。同时它也有一个非常好的性能，非常低的饱和导通压降，一个非常软的开关特性对emi非常有帮助，它还有一个很好的温度特性， 高温度可以达到175度。蓝色曲线是逆向导通型igbt和目前to220封装的饱和导通压降的比较。这是用一个6安的产品在做比较，当这个电流在6安的时候可以看到饱和导通压降非常的低。

    衡量一个igbt的好坏有两个非常重要的指标，一个就是它的饱和导通压降，就是vce(sat)，另外一个就是开关损耗，也就是eoff。对于低频的应用来说，饱和导通压降是占有绝对支配地位的，所以选择这种rc-drives的igbt会是一个非常好的选择，因为可以看到这种rc-drives igbt的饱和导通压降是远远低于市面上的一些产品。这个是在一个无刷电机上面的损耗的分析。

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