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晶体管材料与极性的判别知识

★★★★★【文章导读】：晶体管材料与极性的判别知识具体内容是：***产晶体管型号命名的第三部分用字母A"D来表示晶体管的材料和类型(不代表极性)。其中，“A”、“B”为PNP型管，“C”、“D”为NPN型管。通常，“A”、“C&…

来源：日期：2013-12-17 21:34:39 人气：标签：

***产晶体管型号命名的第三部分用字母A"D来表示晶体管的材料和类型(不代表极性)。其中，“A”、“B”为PNP型管，“C”、“D”为NPN型管。通常，“A”、“C”为高频管，“B”、“D”为低频管。

欧洲产晶体管型号命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶体管的材料(不表示NPN或PNP型极性)。其中，“A”表示锗材料，“B”表示硅材料。

2.从封装外形上识别晶体管的引脚在使用权晶体管之前，首先要识别晶体管各引脚的极性。

不同种类、不同型号、不同功能的晶体管，其引脚排列位置也不同。通过阅读上述“晶体管的封装外形”中的内容，可以快速识别也常用晶体管各引脚的极性。

3.用万用表判别晶体管的极性与材料对于型号标志不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管，可以通过万用表测试来判断出该晶体管的极性、引脚及材料。

对于一般小功率晶体管，可以用万用表R×100Ω档或R×1k档，用两表笔测量晶体管任意两个引脚间的正、反向电阻值。

在测量中会发现：当黑表笔(或红表笔)接晶体管的某一引脚时，用红表笔(或黑表笔)去分别接触另外两个引脚，万用表上指示均为低阻值。此时，所测晶体管与黑表笔(或红表笔)连接的引脚便是基极B，而别外两个引脚为集电极C和发射极E。若基极接的是红表笔，则该管为PNP管;若基极接的是黑表笔，则该管国 NPN管。

也可以先假定晶体管的任一个引脚为基极，与红表笔或黑表笔接触，再用另一表笔去分别接触另外两个引脚，若测出两个均较小的电阻值时，则固定不动的表笔所接的引脚便是基极B，而另外两个引脚为发射极E和集电极C。

找到基极B后，再比较基极B与另外两个引脚之间正向电阻值的大小。通常，正向电阻值较大的电极为发射极E，正向电阻值较小的为集电极C。

PNP型晶体管，可以将红表笔接基极B，用黑表笔分别接触另外两个引脚，会测出两个略有差异的电阻值。在阻值较小的一次测量中，黑表笔所接的引脚为集电极C;在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接的引脚为发射极E。

NPN型晶体管，可将黑表笔接基极B。用红表笔去分别接触另外两个引脚。在阻值较小的一次测量中，红表笔所接的引脚为集电极C;在阻值较大一次测量中，红表笔所接的引脚为发射极E。

通过测量晶体管PN结的正、反向电阻值，还可判断出晶体管的材料(区分出是硅管还是锗管)及好坏。一般锗管PN结(B、E极之间或B、C极之间)的正向电阻值为200"500Ω，反向电阻值大于100kΩ;硅管PN结的正向电阻值为3"15kΩ，反向电阻值大于500kΩ。若测得晶体管某个PN结的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该管已击穿或开路损坏。

(二)晶体管性能的检测

1.反向击穿电流的检测

普通晶体管的反向击穿电流(也称反向漏电流或穿透电流)，可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔，发射极E接红表笔;PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。

正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω(用R×100档测，电阻值大于2kΩ)，锗大功率晶体管的电阻值为1.5kΩ(用 R×10档测)以上。硅材料晶体管的电阻值应大于100kΩ(用R×10k档测)，实测值一般为500kΩ以上。

若测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小，则说明该晶体管的漏电流较大;若测得C、E极之间的电阻值接近0，则说明其C、E极间已击穿损坏。若晶体管C、E极之间的电阻值随着管壳温度的增高而变小许多，则说明该管的热稳定性不良。

也可以用晶体管直流参数测试表的ICEO档来测量晶体管的反向击穿电流。测试时，先将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档，选择晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测试孔，然后按下ICEO键，从表中读出反向击穿电流值即可。