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场效应晶体管及其驱动电路
来源: 日期:2013-12-18 13:59:33 人气:标签:
(1)场效应晶体管
场效应管(mosfet)与双极型晶体管相比,具有如下优点:①电压驱动,且驱动功率小;②是多数载流子工作器件,开关速度快,无“二次”击穿,热稳定性好。因此,场效应管是一种适应开关电源小型化、高效率化和高可靠性要求的理想器件。
下图中,源极跨在两个半导体区上,n型管箭头向左,表示载流子电子从源极出发;p型管箭头向右表示载流子空穴从源极出发。无论哪一型管子都是利用多数载流子导电(双极型晶体管是包含少数载流子导电的),不存在载流子导电和多余载流子复合表现出来的存储时间,因此,动作快,频率高,不存在二次击穿。
在有限管子直接并联时,由于具有正温度系数,可以自动均衡电流(双极型晶体管则是具有负温度系数,所以并联要采取均流措施),不会产生过热点。这些都是mosfet(场效应管)管的优点。
使用mosfet功率管比使用双极型晶体管可得到更多的好处。特别当器件用在高频时(一般在100khz或更高),mosfet(场效应管)的突出优点更会显现出来。
(2)电路的基本形式
①直接驱动式。
直接驱动又包括如下具体形式:
a.用ttl驱动mosfet。可按上图所示,用ttl驱动mosfet。
另一种驱动mosfet的方法是使用专用的集成化缓冲器。下图中的ds0026,便是其中一例。
b.用cmos电路驱动mosfet。由于mosfet有很高的输入阻抗,所以可考虑用cmos电路直接驱动其栅极,如下图所示。
c.用线性互补电路驱动mosfet。用线性运算放大器来直接驱动mosfet,受限制的因素主要是运算放大器的回扫时间较长,因此,采用这种驱动方式的工作频率限于25 khz以下。为了改善频带宽度和回扫速度稍慢的问题,可插入一个射极跟随器,如下图所示。
②耦合驱动式和混合式。
驱动共漏极mos -fet的另一类电路是,利用变压器耦合,如下图所示。
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