基于AT89S51的外扩数据存储器的读写操作时序

　　at89s51单片机对片外ram的读和写两种操作时序的基本过程是相同的。
　　
　　1、读片外ram操作时序
　　
　　at89s51单片机若外扩一片ram，应将其wr（的反）引脚与ram芯片的we引脚连接，rd引脚与芯片oe（的反）引脚连接。ale信号的作用是锁存低8位地址。
　　
　　at89s51单片机读片外ram操作时序如下图所示。
　　
　　在第一个机器周期的sl状态，ale信号由低变高（见①处），读ram周期开始。在s2状态，cpu把低8位地址送到po口总线上，把高8位地址送上p2口（在执行“movx  a，@dptr”指令阶段才送高8位；若执行“movx a，@r/”则不送高8位）。
　　
　　ale的下降沿（见②处）用来把低8位地址信息锁存到外部锁存器74ls373内。而高8位地址信息一直锁存在p2口锁存器中（见③处）。
　　
　　在s3状态，po口总线变成高阻悬浮状态④。在s4状态，执行指令“movxa，@dptr”后使rd（的反）信号变为有效（见⑤处），rd（的反）信号使被寻址的片外ram过片刻后把数据送上po口总线（见⑥处），当rd回到高电平后（见⑦处），po总线变为悬浮状态（见⑧处）。至此，读片外ram周期结束。
　　
　　2．写片外ram操作时序
　　
　　向片外ram写（存）数据，是at89s51单片机执行“movx@dptr，a”指令后产生的动作。这条指令执行后，at89s51单片机的wr信号为低电平有效，此信号使ram的we端被选通。
　　
　　写片外ram的操作时序如下图所示。开始的过程与读过程类似，但写的过程是cpu主动把数据送上po口总线，故在时序上，cpu先向po口总线上送完8位地址后，在s3状态就将数据送到po口总线（见③处）。此间，po总线上不会出现高阻悬浮现象。
　　
　　在s4状态，写控制信号wr有效（见⑤处），选通片外ram，稍过片刻，po口上的数据就写到ram内了，然后写控制信号wr变为无效（见⑥处）。
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