学校地址:湖南省 长沙市 雨花区 车站南路红花坡路口 |
学校地址:湖南省 长沙市 雨花区 车站南路红花坡路口 |
第二电脑网总结了DDR3内存和DDR2的区别,我们先来看一看技术规格对比表,从表中可以看到DDR3内存相对于DDR2内存,其实只是规格上的提高,并没有真正的全面换代的新架构。
DDR1 | DDR2 | DDR3 | |
电压 VDD/VDDQ | 2.5V/2.5V | 1.8V/1.8V (+/-0.1) | 1.5V/1.5V (+/-0.075) |
I/O接口 | SSTL_25 | SSTL_18 | SSTL_15 |
数据传输率(Mbps) | 200~400 | 400~800 | 800~2000 |
容量标准 | 64M~1G | 256M~4G | 512M~8G |
Memory Latency(ns) | 15~20 | 10~20 | 10~15 |
CL值 | 1.5/2/2.5/3 | 3/4/5/6 | 5/6/7/8 |
预取设计(Bit) | 2 | 4 | 8 |
逻辑Bank数量 | 2/4 | 4/8 | 8/16 |
突发长度 | 2/4/8 | 4/8 | 8 |
封装 | TSOP | FBGA | FBGA |
引脚标准 | 184Pin DIMM | 240Pin DIMM | 240Pin DIMM |
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装(Packages)---www.002pc.com
DDR3由于新增了一些功能,所以在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。
3、突发长度(BL,Burst Length)
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BL,BurstLength)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bit BurstChop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。
4、寻址时序(Timing)
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数――写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。
|