日本半导体分立器件型号命名方法

日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

    第一部分：用数字表现器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

    第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标记。S-表现已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

    第三部分：用字母表现器件利用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P把持极可控硅、G-N把持极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。

    第四部分：用数字表现在日本电子工业协会JEIA登记的次序号。两位以上的整数-从“11”开端，表现在日本电子工业协会JEIA登记的次序号；不同公司的性能雷同的器件可以利用同一次序号；数字越大，越是近期产品。

    第五部分： 用字母表现同一型号的改良型产品标记。A、B、C、D、E、F表现这一器件是原型号产品的改良产品。