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湖南阳光电子技术学校 简介

学校地址:湖南省 长沙市 雨花区 车站南路红花坡路口
来校路线:长沙火车站售票厅后坪,乘135路公交车到“红花坡站”,即到.
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免费电话:0731-85579057
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开课时间:我校常年面向全国招生,月月开班。每月1号,16号开学。
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常 见 SDRAM 编 号 识 别.

减小字体 增大字体 作者:佚名  来源:本站整理  发布时间:2011-01-04 10:18:11

在选购SDRAM内存条时,首先要明白内存芯片编号的含义,在其编号中包括以下几个内容:厂商名称(代号)、容量、类型、工作速度等,有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较,就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下:▲ HY HYUNDAI ------- 现代▲ MT Micron ------- 美光▲ GM LG-Semicon HYB SIEMENS ------ 西门子▲ HM Hitachi ------ 日立▲ MB Fujitsu ------ 富士通▲ TC Toshiba ------ 东芝▲ KM Samsung ------ 三星▲ KS KINGMAX ------ 胜创 (2)内存芯片速度编号解释如下: -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns. 75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns. 8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns. 7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns. 10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.(3) HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; DDDR SDRAM.b表示电压,V3.3V; U---2.5V; 空白—5V.CCC表示容量,1616M; 6564M; 129129M; 256256M.dd表示带宽。f表示界面,0LVTTL 1SSTL3); 2SSTL_2.g表示版本号,B—第三代。h表示电源功耗, L—低功耗; 空白—普通型。ii表示封装形式, TC400mil TSOPH.jj表示速度,7143MHZ; 75133MHZ;8125MHZ;10P100MHZ(CL=2);10S100MHZ(CL=3)10100MHZ(PC100)。例:1 HY57V651620B TC-75按照解释该内存条应为:SDRAM 3.3V, 64M, 133MHZ.2) HY57V653220B TC-7按照解释该内存条应为:SDRAM 3.3V, 64M, 143MHZ.

 

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