阳光手机学校：三星在闪存峰会上的那些黑科技？

拥有着半导体产业链的三星电子，在闪存颗粒的研制上也有着相当的实力。作为业界第一个研发出3d-nand技术并将之应用于固态硬盘上的厂商

 

第四代v-nand技术

三星作为3d-nand技术的鼻祖，一直都在研发更加可靠实用的3d nand产品。而在此次峰会上，三星也推出了让人期待依旧的第四代v-nand技术。

第四代3d v-nand立体堆叠技术 大的特点就是层数的增加以及容量的增加，层数上，由第三代的48层增至64层；容量上，单晶粒 大容量512gb(64gb)，依旧支持tlc颗粒，同时io接口传输速度也提高到了800mbps。

基于此新技术，三星可以在单颗芯片封装内，做到1tb容量，甚至是13×11.5毫米的单芯片bga ssd都能做到1tb。

 

对标intel，推出“z-nand”技术

除了研发的新一代的v-nand技术，三星还宣布了新的“z-nand”闪存技术、新的主控。据悉，新的“z-ssd”硬盘，将介于传统ssd和内存之间，性能高于传统nvme、pram ssd，延迟则类似后者，能效也更高。

而从新闻稿看，z-nand并不是intel、美光搞的那种混合式3d xpoint，因为其基本结构和v-nand是相通的，只不过加入了特殊电路和主控设计，实现性能 大化。

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