IGBT管的技术特性术语

　　(4) 高栅极一发射极电压(uge)。栅极电压受栅极氧化层的厚度和特性限制。虽然栅极的绝缘击穿电压约为80v，但是为了保证可靠工作且限制故障状态下的电流，栅极电压通常应限制在20v以内。

　　(5)钳位电感负载电流(ilm)。在电感负载电路中，这个额定值可以确保电流为规定值时igbt管能够重复开断。这个额定值也能够保证igbt管同时承受高电压和大电流。

　　(6)25℃和100℃时的 大功率(pd)。其计算公式为：

　　(7)结温(tj)。器件能够在-55℃～100℃的工业标准温度范围内正常工作。

　　(8) 大集电极电流icmax。包括额定直流电流ic和ims脉宽 大电流icp。

　　(9) 大集电极功耗pcm。igbt管的 大集电极功耗pcm为正常工作温度下允许的 大功耗。

　　(10) 大工作频率。开关频率是选择适合的igbt管时需考虑的一个重要参数， 大工作频率与导通损耗有直接的关系，特别是在集电极电流ic与uce(sat)相关时，把导通损耗定义为功率损耗是可行的。这三者之间的表达式为：

　　开关损耗与igbt管的换向有关，但是主要与工作时的总能量消耗ets相关，并与终端设备频率的关系更加紧密。总损耗是两部分损耗之和：

　　在这一点上，总损耗显然与ets和uce(sat)两个主要参数有内在的联系。这些变量之间适度的平衡关系与igbt管技术密切相关，并为用户 大限度地降低终端设备的综合散热提供了选择的机会。因此，为 大限度地降低功耗，根据终端设备的频率以及应用中的电平特性，应选择不同的器件。

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