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扬声器主要特性参数
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5 | 2010-12-18
1、标称功率 标称功率又称额定功率或不失真功率，它是非线性失真不超过标准规范条件（一般不超过7-10%）下的 大输入功率。扬声器在这一正常功率下长期工作不应损坏。 2、标称阻抗 制造厂产品标�**娑ǖ淖杩怪担�...
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常用运算放大器
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5 | 2010-12-18
CA3130 高输入阻抗运算放大器 CA3140 高输入阻抗运算放大器 CD4573 四可编程运算放大器 MC14573, ICL7650 斩波稳零放大器 LF347 带宽四运算放大器 KA347 LF351 BI-FET单运算放大器 LF353 BI-FET双运算放...
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[图文] 发光二极管特殊应用几例
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5 | 2010-12-18
发光二极管是我们经常用到的器件，这里我们介绍几种它的特殊用法，这对于条件有限的业余电子爱好者在电子制作中有时会很有帮助（见附图）。 图（a）是用发光二极管LED监视电池电压的应用电路。电路中稳压管DW的稳压...
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高频管和低频管的判别
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5 | 2010-12-18
高频管和低频管因其特性和用途不同而一般不能互相代用。 这里介绍如何用万用表来快速判别它高频管与低频管。判别方法为： 首先用万用表测量三极管发射极的反向电阻，如果是测量PNP型管，万用表的负端接基极，正端接...
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充电电池
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3 | 2010-12-18
充电电池A、镍镉电池（Ni-Cd） 电压：1.2V 使用寿命为：500次 放电温度为：-20度～60度 充电温度为：0度～45度 备注：耐过充能力较强。 B、镍氢电池（Ni-Mh） 电压：1.2V 使用寿命为：1000次 放电温度为：-10度～45...
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用万用表检测可控硅
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6 | 2010-12-18
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其...
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温控器
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6 | 2010-12-18
温度控制器是对空调房间的温度进行控制的电开关设备。温度控制器所控制的空调房间内的温度范围一般在18℃--28℃。窗式空调常用的温度控制器是以压力作用原理来推动触点的通与断。其结构由波纹管、感温#*（测试管）...
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热电偶和热电阻的区别
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7 | 2010-12-18
热电偶与热电阻均属于温度测量中的接触式测温,尽管其作用相同都是测量物体的温度,但是他们的原理与特点却不尽相同. 首先,介绍一下热电偶,热电偶是温度测量中应用 广泛的温度器件,他的主要特点就是测吻范围宽,性能...
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压电晶体
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6 | 2010-12-18
有一类十分有趣的晶体，当你对它挤压或拉伸时，它的两端就会产生不同的电荷。这种效应被称为压电效应。能产生压电效应的晶体就叫压电晶体。水晶（α-石英）是一种有名的压电晶体。 如果按一定方向对水晶晶体上切下...
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驻极体话筒的基本知识
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4 | 2010-12-18
驻极体话筒具有体积小、结构简单、电声性能好、价格低的特点，广泛用于盒式录音机、无线话筒及声控等电路中。 驻极体话筒由声电转换和阻抗变换两部分组成。它的内部结构如图1所示。声电转换的关键元件是驻极体振动...
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巧焊电子元器件的接头
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6 | 2010-12-18
当印刷设备电子元件或主控电气元件的焊脚松动或出现虚焊、线头脱落时，它所在的电子线路或主控线路就容易发生故障，往往造成机器不运转或失控等，严重时还会导致系列故障的连续发生，损坏电子元器件等。 电子元器...
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数字锁相环
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4 | 2010-12-18
模拟锁相环路（ APLL） 已在模拟和数字通信已经无线电电子学领域获得极为广泛的应用。随着大规模、超高速数字集成电路的发展以及计算机的普及运用，为研究和制作全数字锁相环路（ ADPLL） 提供了极为有利的条件。数...
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源于爱迪生效应的电子管的发明
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5 | 2010-12-18
19世纪末20世纪初，电子学逐渐成为一门新的技术学科。 提到电子技术领域中 重要的一项发明棗电子管，还要追溯到碳丝灯的发明。 1879年10月19日，美国著名发明家爱迪生成功地使第一盏由竹篾烧成的碳丝制成的白...
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測試阻抗時測量錯誤的潛在來源
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11 | 2010-12-18
測量阻抗 使用或任何其它 TDR 測量阻抗時，存在一些潛在的測量錯誤來源。本應用說明用於解釋潛在錯誤來源以及消除它們的方法，以便獲取可重覆性和精確的測量結果。 為了獲取 為精確的測量結果，應該選擇哪一探棒？...
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控制阻抗簡介
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4 | 2010-12-18
隨著 PCB 信號切換速度不斷增長，當今的 PCB 設計廠商需要理解和控制 PCB 線路的阻抗。相應于現代數位電路較短的信號傳輸時間和較高的時鐘速率，PCB 線路不再是簡單的連接，而是傳輸線路。什么是控制阻抗？ 可能 ...
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led参数简介
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3 | 2010-12-18
LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 1、LED电学特性 1.1 I-V特性 表征LED芯片pn结制备...
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三极管知识
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4 | 2010-12-18
晶体三极管的结构和类型 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，...
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无线电产生的历史
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4 | 2010-12-18
当你打开收音机时，优美的音乐、动听的歌曲就会传来；当你给远方的朋友祝贺生日时，你可以拍一封电报送去，你的朋友马上就会收到你的贺词。那么，是什么迅速传递着这些信息呢?这就是充斥在空气中的电磁波。我们每时...
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晶体管的产生历史
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9 | 2010-12-18
晶体管的发明，开创了一个新时代。有人说，我们今天能进入信息时代，全托晶体管的福。如果说电子管是电子工业的“祖父”，则晶体管是现代电子业“之父”，这话是有道理的。可以说晶体管是打开信息时代大门的金钥匙...
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电子管的摇篮(产生历史)
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11 | 2010-12-18
十九世纪，人类在发明了无线电报之后，还进一步希望能用电波来传送声音。 1906年，人们第一次利用调幅波在空中传送了声音。利用电波传送声音需要在发射和接收的时候用某种器件放大电波信号。这种器件可以说是从爱迪...
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电子技术基础试题
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14 | 2010-12-18
一、填空题（每空2分，共20分）： 1、串联电容器的总电容比每个电容器的电容（ ）。每个电容器 两端的电压和自身电容成（ ）。 2、某正弦交流电流i=10 sin(100 t- )mA,则它的 大值Im=( )mA, 有效值I=( ) mA，频率f...
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[图文] IGBT原理
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27 | 2010-12-18
以N沟道的为例。图一为点型结构 、看图三的(A)，对应着图一看。 以发射极为参考，当栅电压高于VTH时，会在栅下方的P区形成电子的导电沟道。MOS管导通。两块绿色区域夹着的P这个整体构成MOS。两个红色和中间的绿色构...
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PN结电容
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6 | 2010-12-18
PN结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。 PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。 当所加的正向电压升高时，多子(N区的电子、P区的空穴)进入耗尽区，相当于...
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集成电路的种类与用途
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4 | 2010-12-18
在电子行业，集成电路的应用非常广泛，每年都有许许多多通用或专用的集成电路被研发与生产出来，本文将对集成电路的知识作一全面的阐述。 集成电路的种类 集成电路的种类很多，按其功能不同可分为模拟集成电路...
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元器件的装配方式与布局
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6 | 2010-12-18
在设计装配方式之前，要求将整机的电路基本定型，同时还要根据整机的体积以及机壳的尺寸来介绍元器件在印刷电路板上的装配方式。 具体做这一步工作时，可以先确定好印刷电路板的尺寸，然后将元器件配齐，根据元器件...
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集成电路发展史
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4 | 2010-12-18
早期发展 早在1830年，科学家已于实验室展开对半导体的研究。他们 初的研究对象是一些在加热后电阻值会增加的元素和化合物。這些物质有一共同点，当它们被光线照射时，会容许电流单向通过，我们可借此控制电流的方...
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[图文] 去耦电容和旁路电容
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8 | 2010-12-18
电子线路中的同一个电容，有时候会称它去耦电容，有时候又会称它为旁路电容。 电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，但是，当我们从不同的角度去看时，它所起的作用是不同的，所以才有的不同的称谓...
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[图文] 真空三极管
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7 | 2010-12-18
1906年10月25日，美国科学家德·福雷斯特申请了真空三极管放大器的专利，第二天又向美国电气工程师协会提交了关于三级管放大器的论文。他的专利于1907年1月15日被批准。 美国科学家德·福雷斯特（Lee de Forest，1...
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[组图] 霍耳效应·霍尔传感器
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9 | 2010-12-18
在电子科技领域里有许许多多的“效应”，如场效应、霍耳效应等，对这些效应的认识和理解，对于我们提高应用能力、启发创新思维必然会有帮助。所以，我决定从现在起，开始搜集各种效应的资料，贴在这里与大家分享。...
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[组图] 热电效应·热电偶
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11 | 2010-12-18
1821年，德国物理学家塞贝克发现，在两种不同的金属所组成的闭合回路中，当两接触处的温度不同时，回路中会产生一个电势，这就是热电效应，也称作“塞贝克效应（Seebeck effect）”。 Thomas Johann Seebeck（1780...
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